高效率高光通量LED关键技术及3W级LED芯片开发

来源: 发布时间：2016-03-24

本项目主要研究高效率、高光通量LED的一些关键技术,针对3W级LED芯片产品进行开发研究。研究高效率、高光通量LED芯片制作的关键技术问题,采用自支撑同质GaN衬底实现垂直结构的条形高效率、大通量LED 芯片,解决LED倒装輝接散热技术难题,开发出3W级100lm/W的高效率大功率LED芯片产品。

联系方式：中国科学院苏州纳米所	联系人：周扬
电话：0512-62872711	邮箱：Yangzhou2008@sinano.ac.cn

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