SOICMOS器件电离总剂量辐射损伤规律研究是为我国国产抗辐射加固超大规模集成电路研制服务的基础研究项目。通过利用新疆理化技术研究所众多辐射源开展国产SOI材料、器件、抗辐射加固电路等的损伤规律研究。为国产抗辐射加固SOI材料、抗辐射加固SOICMOS提供考核及评估方法具有很强的实用性。为国产抗辐射加固集成电路的产业化奠定坚实的基础。
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SOICMOS器件电离总剂量辐射损伤规律研究
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发布时间：2016-04-06
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